เอกสารข้อมูล SLE5528 สำหรับการ์ด EEPROM ที่ปลอดภัย

เอกสารข้อมูล SLE5528

ภาพรวมเอกสารข้อมูล SLE5528

เอกสารข้อมูล SLE5528 อธิบายถึงชิป EEPROM ขนาด 1024 ไบต์อัจฉริยะที่ออกแบบสำหรับงานสมาร์ทการ์ดแบบสัมผัสซึ่งต้องการหน่วยความจำจัดเก็บข้อมูลอย่างง่าย การเขียนซ้ำแบบควบคุมได้ และระดับการป้องกันการเข้าถึงที่ใช้งานได้จริง ชิปนี้เข้ากันได้เชิงหน้าที่กับ SLE 4428 จึงสามารถพิจารณาใช้กับโครงการที่ใช้โครงสร้างหน่วยความจำ ลักษณะคำสั่ง และอินเทอร์เฟซแบบสัมผัสซิงโครนัสอยู่แล้ว สำหรับผู้ผลิตบัตร คุณค่าของ SLE5528 ไม่ได้อยู่ที่ความจุ EEPROM เท่านั้น แต่ยังอยู่ที่การผสานหน่วยความจำป้องกันระดับไบต์ รหัสความปลอดภัยที่ตั้งโปรแกรมได้ และการกำหนดค่าหน้าสัมผัสตามมาตรฐาน ISO/IEC 7816 ไว้ในชิปการ์ดขนาดกะทัดรัด

ในการผลิต ชิปนี้มักได้รับการประเมินสำหรับบัตรหน่วยความจำแบบปลอดภัย บัตรเติมเงิน บัตรสมาชิก บัตรสะสมแต้ม บัตรเข้าถึงแบบควบคุม และผลิตภัณฑ์จัดเก็บข้อมูลอื่นๆ ที่เครื่องอ่านแบบสัมผัสเขียนและตรวจสอบข้อมูลผ่านลิงก์แบบอนุกรมซิงโครนัสสามสาย เหมาะอย่างยิ่งเมื่อแอปพลิเคชันต้องการการเก็บรักษาข้อมูลที่เสถียร กระแสไฟเลี้ยงต่ำ และการป้องกันแบบย้อนกลับไม่ได้สำหรับไบต์หน่วยความจำที่เลือกไว้หลังการตั้งค่าส่วนบุคคล สำหรับลูกค้าที่เปรียบเทียบตัวเลือกชิปสำหรับ บัตร IC แบบสัมผัสSLE5528 มอบเส้นทางการกำหนดสเปกที่ชัดเจนสำหรับบัตรหน่วยความจำที่ใช้ EEPROM มากกว่าแพลตฟอร์มบัตรไมโครคอนโทรลเลอร์ที่ซับซ้อน

โครงสร้างหน่วยความจำและตรรกะการป้องกัน

หน่วยความจำของ SLE5528 จัดเรียงเป็นหน่วยความจำข้อมูล EEPROM ขนาด 1024 x 8 บิต ให้บัตรมีความจุ 1024 ไบต์สำหรับข้อมูลแอปพลิเคชัน นอกเหนือจากพื้นที่นี้ ชิปยังมีหน่วยความจำป้องกันขนาด 1024 x 1 บิต แต่ละไบต์ข้อมูลสามารถป้องกันได้โดยการเขียนบิตป้องกันที่สอดคล้องกัน เมื่อไบต์ได้รับการป้องกันแล้ว ไบต์นั้นจะกลายเป็นแบบอ่านอย่างเดียวและไม่สามารถเปลี่ยนแปลงได้อีก ซึ่งมีประโยชน์สำหรับข้อมูลผู้ออกบัตร ตัวระบุแบบคงที่ พารามิเตอร์แอปพลิเคชัน บันทึกยอดคงเหลือหลังการสรุปยอด หรือฟิลด์อื่นๆ ที่ต้องถูกล็อกไว้หลังการเข้ารหัสบัตร

รหัสผู้ผลิตถูกตั้งโปรแกรมเป็นพื้นที่ที่ไม่สามารถแก้ไขได้โดยผู้ผลิตชิป และประกอบด้วยข้อมูลรหัสชิปและตัวระบุแอปพลิเคชันตาม ISO/IEC 7816-5 ซึ่งช่วยแยกข้อมูลระบุชิปแบบคงที่ออกจากพื้นที่ EEPROM ที่ลูกค้าควบคุม หน่วยความจำข้อมูลหลักสามารถแก้ไขได้เฉพาะหลังจากการตรวจสอบรหัสความปลอดภัยที่ตั้งโปรแกรมได้ขนาด 2 ไบต์สำเร็จเท่านั้น ซึ่งมักเรียกว่า PSC จำนวนครั้งในการตรวจสอบ PSC ถูกจำกัดด้วยตัวนับข้อผิดพลาด ช่วยลดความเสี่ยงจากการเดาแบบไม่จำกัดระหว่างการเข้าถึงบัตรโดยไม่ได้รับอนุญาต

อินเทอร์เฟซและคุณลักษณะทางไฟฟ้า

ชิปใช้โปรโตคอลลิงก์แบบอนุกรมซิงโครนัสสามสายตาม ISO/IEC 7816 รองรับการกำหนดแอดเดรสแบบไบต์ต่อไบต์ และการสิ้นสุดการประมวลผลภายในจะถูกระบุที่เอาต์พุตข้อมูล ทำให้ระบบเครื่องอ่านจัดการจังหวะการเขียนได้อย่างเชื่อถือได้มากขึ้น การกำหนดค่าหน้าสัมผัสและพฤติกรรม Answer-to-Reset เป็นไปตามข้อกำหนด ISO/IEC 7816 สำหรับการส่งข้อมูลแบบซิงโครนัส จากมุมมองการผสานรวม หน้าสัมผัสหลักได้แก่ VCC, RST, CLK, GND และ I/O โดย C6 ถูกระบุว่าไม่เชื่อมต่อ สาย I/O เป็นสายข้อมูลแบบสองทิศทาง open-drain

ตามข้อมูลผลิตภัณฑ์ฉบับย่อ SLE5528 ทำงานที่แรงดันไฟเลี้ยง 5V โดยมีความคลาดเคลื่อน ±10% และกระแสไฟเลี้ยงต่ำกว่า 1 mA เวลาลบและเขียน EEPROM ระบุไว้ที่ 5 ms และ 5 ms เวอร์ชันชิปรองรับช่วงอุณหภูมิแวดล้อม -40°C ถึง +100°C ขณะที่เวอร์ชันโมดูลระบุไว้ที่ -25°C ถึง +80°C การป้องกัน ESD โดยทั่วไปอยู่ที่ 4,000 V ความทนทานของ EEPROM ระบุไว้ที่ขั้นต่ำ 100,000 รอบการลบ/เขียน และการเก็บรักษาข้อมูลระบุไว้ที่ขั้นต่ำ 10 ปี โดยมีการระบุถึงการขึ้นกับอุณหภูมิสำหรับค่าเหล่านี้

บรรจุภัณฑ์ การฝังในบัตร และการใช้งานบัตรแบบกำหนดเอง

SLE5528 มีให้เลือกในหลายรูปแบบการสั่งซื้อและบรรจุภัณฑ์ รวมถึง die on wafer, sawn die on wafer, โมดูล M3 และโมดูล flip-chip MFC3 ตัวเลือกเหล่านี้ทำให้สามารถปรับใช้กับเส้นทางการผลิตที่แตกต่างกัน ตั้งแต่การบรรจุระดับเวเฟอร์ไปจนถึงการฝังโมดูลสำเร็จรูป สำหรับการผลิตบัตร มักพิจารณาเวอร์ชันที่ใช้โมดูลเมื่อลูกค้าต้องการโครงสร้างบัตรแบบสัมผัสสำเร็จรูป ขณะที่ตัวเลือก die อาจพิจารณาสำหรับการประกอบเฉพาะทางหรือบรรจุภัณฑ์ที่ลูกค้ากำหนดเอง เอกสารข้อมูลยังแสดงเลย์เอาต์หน้าสัมผัสของ M3 และ MFC3 ช่วยให้วิศวกรยืนยันตำแหน่งแพดและการจัดแนวหน้าสัมผัสของเครื่องอ่านก่อนการผลิต

SCIVAS สามารถสนับสนุนโครงการบัตรที่ต้องผสานชิปกับวัสดุตัวการ์ด การพิมพ์ การกำหนดเลข การเข้ารหัส แถบแม่เหล็ก แผ่นลายเซ็น หรือข้อกำหนดการตั้งค่าส่วนบุคคลอื่นๆ SLE5528 มักถูกกล่าวถึงในความสัมพันธ์กับบัตรแบบสัมผัสที่ใช้หน่วยความจำ แต่ลูกค้าหลายรายยังต้องการชุดข้อมูลรับรองที่ครบถ้วนซึ่งรวมถึง บัตรพลาสติก สำหรับงานด้านอัตลักษณ์ทางภาพ การเป็นสมาชิก และการเก็บมูลค่า เมื่อโครงการผสานบัตรหน่วยความจำแบบสัมผัสกับข้อมูลรับรองแบบไม่สัมผัส ทีมงานของเรายังสามารถช่วยปรับสเปกให้สอดคล้องกับ บัตร RFIDเครื่องอ่าน และขั้นตอนการออกบัตรฝั่งระบบได้อีกด้วย

ข้อพิจารณาการใช้งานทั่วไป

SLE5528 เป็นตัวเลือกที่ใช้งานได้จริงสำหรับแอปพลิเคชันที่บัตรต้องมี EEPROM ที่อ่านและเขียนได้ บิตป้องกันที่กำหนดไว้ และกระบวนการอัปเดตที่ควบคุมด้วยรหัสความปลอดภัย ไม่ได้มีจุดประสงค์เพื่อแทนที่บัตร CPU แบบเข้ารหัสลับเต็มรูปแบบ แต่สามารถมีประสิทธิผลสำหรับระบบที่ต้องการการแมปหน่วยความจำแบบคงที่ การตั้งค่าส่วนบุคคลของบัตรที่เสถียร และการอัปเดตภาคสนามแบบควบคุม กรณีการใช้งานทั่วไปได้แก่ โปรแกรมสะสมแต้ม การจัดการบัตรเติมเงิน บัตรเก็บมูลค่า การระบุตัวตนลูกค้า บัตรหน่วยความจำที่เกี่ยวข้องกับการเข้าถึง บัตรอนุญาตอุปกรณ์ และระบบเดิมที่ต้องการความเข้ากันได้กับ SLE 4428

ก่อนเลือกชิปนี้ วิศวกรควรยืนยันการรองรับของเครื่องอ่านสำหรับบัตรหน่วยความจำแบบซิงโครนัส ISO/IEC 7816 ความเข้ากันได้ของแรงดันไฟฟ้า การจัดการคำสั่ง การเริ่มต้น PSC การจัดการตัวนับข้อผิดพลาด และแผนการป้องกันการเขียนขั้นสุดท้าย เนื่องจากการป้องกันการเขียนเป็นแบบย้อนกลับไม่ได้ในระดับไบต์ ควรวางแผนแมปหน่วยความจำก่อนการเข้ารหัสจำนวนมาก สำหรับการผลิต เราแนะนำให้ยืนยันความพร้อมของชิป รูปแบบโมดูล ความหนาของบัตร การออกแบบแผ่นหน้าสัมผัส อาร์ตเวิร์กการพิมพ์ และรูปแบบข้อมูลการเข้ารหัสก่อนยืนยันคำสั่งซื้อ แนวทางนี้ช่วยหลีกเลี่ยงความไม่สอดคล้องระหว่างเอกสารข้อมูลชิป ระบบเครื่องอ่าน และการใช้งานบัตรขั้นสุดท้าย

คำถามที่พบบ่อยเกี่ยวกับเอกสารข้อมูล SLE5528

SLE5528 ใช้ทำอะไร?

SLE5528 ใช้ในสมาร์ทการ์ดแบบสัมผัสที่ต้องการจัดเก็บข้อมูล EEPROM พร้อมการเขียนซ้ำแบบควบคุมและการป้องกันการเขียนระดับไบต์ เหมาะสำหรับบัตรหน่วยความจำ บัตรสะสมแต้ม บัตรเติมเงิน ข้อมูลรับรองที่เกี่ยวข้องกับการเข้าถึง และผลิตภัณฑ์บัตรอื่นๆ ที่เครื่องอ่านต้องจัดเก็บหรือตรวจสอบข้อมูลผ่านอินเทอร์เฟซแบบสัมผัสซิงโครนัส ISO/IEC 7816

SLE5528 เข้ากันได้กับ SLE 4428 หรือไม่?

ได้ เอกสารข้อมูลระบุว่า SLE5528 มีความเข้ากันได้เชิงหน้าที่ 100% กับ SLE 4428 ซึ่งสำคัญสำหรับโครงการที่ใช้ระบบบัตรที่อิง SLE 4428 อยู่แล้วและต้องการประเมินโครงสร้างหน่วยความจำที่เทียบเท่า อย่างไรก็ตาม ควรตรวจสอบเฟิร์มแวร์เครื่องอ่าน การจัดการรหัสความปลอดภัย และกฎการตั้งค่าส่วนบุคคลก่อนการผลิต

SLE5528 มีหน่วยความจำเท่าใด?

SLE5528 มีหน่วยความจำข้อมูล EEPROM ขนาด 1024 x 8 บิต เท่ากับ 1024 ไบต์สำหรับข้อมูลแอปพลิเคชัน ยังมีหน่วยความจำป้องกันแยกต่างหากขนาด 1024 x 1 บิต แต่ละบิตป้องกันสอดคล้องกับหนึ่งไบต์ข้อมูล ทำให้ไบต์ที่เลือกสามารถกลายเป็นแบบอ่านอย่างเดียวอย่างถาวรหลังจากเขียนบิตป้องกันแล้ว

รหัสความปลอดภัยที่ตั้งโปรแกรมได้มีบทบาทอย่างไร?

รหัสความปลอดภัยที่ตั้งโปรแกรมได้ หรือ PSC ควบคุมการแก้ไขหน่วยความจำข้อมูลและการตั้งค่าบิตป้องกันการเขียน การแก้ไขข้อมูลทำได้เฉพาะหลังจากการตรวจสอบ PSC ขนาด 2 ไบต์สำเร็จเท่านั้น ชิปยังใช้ตัวนับข้อผิดพลาดเพื่อจำกัดจำนวนครั้งในการตรวจสอบ ซึ่งช่วยป้องกันการพยายามเข้าถึงบัตรโดยไม่ได้รับอนุญาตซ้ำๆ

ไบต์หน่วยความจำที่ได้รับการป้องกันสามารถเปลี่ยนแปลงภายหลังได้หรือไม่?

ไม่ได้ หน่วยความจำป้องกันเป็นแบบตั้งโปรแกรมได้ครั้งเดียวสำหรับการป้องกันการเขียนระดับไบต์ เมื่อบิตป้องกันที่สอดคล้องกันถูกตั้งค่าแล้ว ไบต์ข้อมูลนั้นจะกลายเป็นแบบอ่านอย่างเดียวและไม่สามารถแก้ไขได้อีก ด้วยเหตุนี้ ผู้ออกบัตรจึงควรกำหนดแมปหน่วยความจำ ลำดับการตั้งค่าส่วนบุคคล และแผนการล็อกขั้นสุดท้ายก่อนการเข้ารหัสบัตรจำนวนมาก

วิศวกรควรตรวจสอบข้อกำหนดทางไฟฟ้าอะไรบ้าง?

วิศวกรควรตรวจสอบข้อกำหนดแรงดันไฟเลี้ยง 5V ±10% กระแสไฟเลี้ยงต่ำกว่า 1 mA จังหวะการลบและเขียน 5 ms การป้องกัน ESD โดยทั่วไป 4,000 V และช่วงอุณหภูมิการทำงาน ชิประบุไว้ที่ -40°C ถึง +100°C ขณะที่เวอร์ชันโมดูลระบุไว้ที่ -25°C ถึง +80°C

ตัวเลือกแพ็กเกจใดบ้างที่กล่าวถึงสำหรับ SLE5528?

ข้อมูลการสั่งซื้อระบุตัวเลือก die on wafer, sawn die on wafer, โมดูล T-M3.2-6 และโมดูล flip-chip S-MFC3.1-6-1 รูปแบบเหล่านี้รองรับเส้นทางการผลิตที่แตกต่างกัน ตั้งแต่การประกอบระดับชิปไปจนถึงการฝังโมดูลแบบสัมผัสในบัตร ควรเลือกตัวเลือกที่ถูกต้องตามโครงสร้างบัตรและกระบวนการผลิต